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歷史首次!三星使用長江存儲專利!韓專家:半導(dǎo)體快全面落后中國

三星下一代 V10 NAND 顆粒將使用長江存儲技術(shù),國產(chǎn)存儲再上一分!

PCIe5.0 固態(tài)已經(jīng)出來很長一段時間了,不知道各位同學(xué)都用上了沒?

就在近日,以往 SSD 的龍頭三星終于推出了自己的旗艦級 PCIe5.0 固態(tài),并且把自己的消費(fèi)級固態(tài)容量提升到了 8TB。

圖片1.三星旗艦級 PCIe5.0 固態(tài).png

算是趕上了 PCIe5.0 首發(fā)的末班車。

與此同時,據(jù)韓媒報道,三星和國產(chǎn)的長江存儲達(dá)成合作,下一代 V10(第十代)NAND 顆粒將會采用長江存儲的混合鍵合技術(shù)專利進(jìn)行封裝制造。

圖片2.相關(guān)報道.png

也就是說在存儲行業(yè)的龍頭老大,向一個不起眼的對手取經(jīng)了,畢竟在去年的 Q2 季度,咱們的長江存儲市占率還處于 Others。

圖片3.2024年市占率.png

估計看到這,很多電粉和阿紅一樣,腦袋都是「嗡」的一下,差點(diǎn)沒轉(zhuǎn)過來,國產(chǎn)咋一下這么厲害了。

NAND 閃存顆粒的發(fā)展史

想要知道具體原因,咱們還得做個簡單的回顧:

老粉可能都相當(dāng)熟悉了,這里給新粉簡單做個 NAND 閃存顆粒的發(fā)展史。

眾所周知,咱們無論是手機(jī)、電腦都會用到的存儲,無論是板載芯片還是固態(tài)硬盤,都離不開的就是存儲的 NAND 顆粒。

圖片4.NAND 閃存顆粒.png

為了增加存儲容量,一開始是在平鋪的浮柵晶體管晶圓層(存儲電子基礎(chǔ)單元)上想辦法,也就是咱們說的 SLC、MLC、TLC、QLC 區(qū)別。

圖片5.SLC、MLC、TLC、QLC 區(qū)別.png

這就好比是小區(qū)中規(guī)劃房子多少的區(qū)別,SLC 只存儲 1bit 的數(shù)據(jù),而 TLC 就可以存儲 3bit 的數(shù)據(jù)了。

也就是說,越往后,相同面積下能存儲的數(shù)據(jù)也就越多。

但讀寫速度就跟送快遞一樣,面對 SLC 這種簡單的存儲單元,很快就能送達(dá)或者收件,但越往后尋找難度就越大,投射到產(chǎn)品上就是讀寫速度會越來越慢。并且因為存儲電子的狀態(tài)更多了,所以顆粒壽命也就隨之?dāng)嘌率较禄?/p>

圖片6.規(guī)格對比.png

但我們的存儲容量需求還在上漲,于是大伙兒就想出了另一個路子——蓋樓房

也就是一層 NAND 劃分到極限了,那就多整幾層,有更多的存儲單元。

圖片7.3D NAND結(jié)構(gòu).png

這項技術(shù)由三星 2013 年重視快速發(fā)展的,并且于 2019 年搞到了 128 層 3DNAND,而同時期的長江存儲,也才剛剛投入 64 層。

圖片8.層數(shù)對比.png

三星就這樣一路蓋到了 9100 PRO 身上的 236 層。

而就在挑戰(zhàn)下一代 420-430 層的時候。自家CoP(Cell-on-Periphery)架構(gòu)扛不住了。

它本來是在單片晶圓上將外圍電路置于存儲單元下方,然后在上面逐層堆疊,但是隨著堆疊層數(shù)超過 400 層,下面的電路承受不了巨大的機(jī)械應(yīng)力和熱應(yīng)力導(dǎo)致可靠性驟降,良率極差。

圖片9.堆疊.png

并且就算生產(chǎn)出來,產(chǎn)品的質(zhì)量也得打個問號。

物理性質(zhì)不可能靠人的意志解決,走不通的三星就只好換個路子,找來找去就盯上了長江存儲的憑借「晶棧 Xtacking」后發(fā)制人的混合鍵合技術(shù)。

圖片10.混合鍵合技術(shù).png

Xtacking技術(shù)

Xtacking 的特點(diǎn)是在兩片晶圓分別將存儲單元與外圍電路分開制造,然后再通過晶圓對晶圓(W2W)鍵合。

好處是電氣性能提升,鍵合界面金屬互連間距縮短至 1μm 以下,電阻降低 40%,I/O 速度提升至 3.2Gb/s(三星原技術(shù)為 2.4Gb/s)。

圖片11.外圍電路晶圓及存儲單元晶圓.png

散熱效率也優(yōu)化了,鍵合層熱導(dǎo)率提升至 300 W/(m·K)(傳統(tǒng)凸塊技術(shù)為 50 W/(m·K)),解決了高堆疊層的熱失效問題。

更重要的是工藝復(fù)雜度降低了,減少了 20% 的光刻和蝕刻步驟。

簡單來說,就是比你便宜還比你好,這你受得了嗎?

圖片12.茄子表情包.png

三星接下來規(guī)劃的 V10-V12 基本都繞不開長江存儲的 Xtacking 技術(shù),并且海力士也很有可能走三星相同的路,畢竟海力士在去年也宣布了下一代將要使用混合鍵合技術(shù)。

圖片13.海力士去年也宣布下一代將要使用混合鍵合技術(shù).png

與此同時,根據(jù)韓國科學(xué)技術(shù)評估與規(guī)劃研究院(KISTEP)近期發(fā)布的「三大改變游戲規(guī)則領(lǐng)域的技術(shù)水平深度分析」簡報,39 名韓國半導(dǎo)體專家進(jìn)行的調(diào)查顯示,中國在除先進(jìn)封裝以外的所有半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的基本能力都超過了韓國。

圖片14.技術(shù)級別評估.png

此時阿紅心里只有一個字:

圖15.爽!表情包.gif

結(jié)論

總的來說,這次的事件證明咱們在科技半導(dǎo)體行業(yè)的進(jìn)步是有目共睹的,三星是否會因為這次的專利費(fèi)而重新對固態(tài)行業(yè)價格進(jìn)行上調(diào)操作咱們還不得而知,固態(tài)能否回到 2023 年的白菜價也很難預(yù)測。

但是有國產(chǎn)廠商這條鯰魚,想必存儲價格趕黃金這種情況應(yīng)該不會再出現(xiàn)了。


本文編輯:@ 阿紅

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